如影随形

TSMC计划建立旨在5 nm的MRAM汽车的第一个欧洲设计

发布时间：2025-05-28 14:14编辑：BET356官网在线登录浏览（129）

TSMC已在欧洲建立了第一个设计中心，并等待汽车应用记忆技术的重要飞跃。欧盟设计中心（EUDC）在慕尼黑设有其总部，并有望专注于汽车，但也承认为工业应用，人工智能（AI），通信和物联网（IoT）（IoT）的筹码设计。它在本文中引用。考虑到这一点，TSMC已证明了28 nm阻力的RRAM RRAM用于汽车应用程序，其12 nm版本符合相同的严格汽车质量要求和计划，该计划将启动6NM版本。我们还将启动5 nm的磁性内存MRAM。 RRAM与MRAM一起是闪存的重要替代方法，可在16 nm以下的过程技术中进行闪存。 TSMC的MRAM 22nm正在生产中，1​​6nm MRAM准备向其客户开发和交付12 nm的MRAM。但是，TSMC还确定MRAM和RRAM将来将分别在5 nm和6 nm上扩展。这是扩大车辆ADA和芯片AI的记忆的重要步骤。 EUDC将参与现有的TSMC全球网络。它由位于加拿大台湾，中国大陆和日本的九个设计中心组成，预计将于2025年第三季度开放。它用于下一代AI和ADAS芯片的下一代，以及对12 nm阻力的RRAM记忆。智能汽车技术包括高级汽车级套件，积分横向溢流电容器图像（ERFF），以便将高3D TSMC（MIM）金属密度（MIM）的金属金属金属冷凝器（MIM）安装为自动辅助。在物联网上，TSMC开始考虑开发4 -NM N4E流程，以进一步降低当前价值的电压并接近阈值电压。我们还正在研究超低逃生电流和逻辑，以进一步降低泄漏电流以延长电池的寿命。这N3预计将是一个长期的节点，从2025年4月开始，有70多个新彩带。N3E是由Mass生产的旗舰产品和HPC/AI移动产品。目前，该模块最终改善了缺陷，预计将在AEC Q100 1级获得认证，预计将在2025年下半年可用于生产。$ 1000万美元的1TN市场比物联网领先10％。当然，数据中心和人工智能正在促进增长，预计到2030年，预计有45％的市场份额，预计450亿美元的工艺技术A16和A14，TSMC将于今年年底在台湾公司开设Fab 25，在台湾领先。 A16和A14有望使用互补场效应晶体管（CFET）和堆栈NFET和PFET的设计，其CFET几乎达到了密度的两倍。从屏幕技术的角度来看，TSMC宣布了O o行业的第一个高压平台的推出LED和可折叠/超级玻璃杯。与28HV相比，预计16HV将减少DED能源消耗约28％，并将逻辑密度提高约41％。